GeIL DDR3-1066 512MB*2 内存模组套装
本文就将对DDR3内存模组加速3D游戏的命题通过具体测试加以验证，测试产品来自金邦科技（GeIL），为一组双通道套装的DDR3-1066 512MB内存模组。
其中我们无法回避的是，DDR2的总体延迟比DDR3有所提高。DDR2的CL范围一般在3～5之间，而DDR3则在6～10之间，附加延迟（AL）写入延迟（CWD）的部分也较DDR2劣化，这些延迟的提高降低了内存频率提升带来的收益，DDR3能否用更高的频率实现频率和时序的一种性能提升均衡状态是本文测试的重点。
GeIL DDR3-1066 内存模组套装
● 模组外部状况
著名内存模组厂商GeIL一直走在玩家型超频内存模组的排头位置，其06年出品的Ultra系列CL3时序DDR2-800内存就曾红极一时，如今在DDR3产品进度上也毫不示弱。
这是两根non-ECC unbuffered 240pin 512MB DDR3 SDRAM内存模组，还是未上市的工程样品，不过就熟悉的橙色铝质外壳配置而言，它们应该属于GeIL的Ultra系列，强调性能可超频潜力。
GeIL DDR3-1066 512MB
GeIL DDR3-1066 512MB背面
从外壳侧面观察，内存模组为单面配置，每根内存搭载8片内存芯片。由于GeIL使用的粘性导热介质粘力很强，笔者这里没有强行取下外壳，以防止芯片脱焊，模组使用的内存芯片状况也无从知晓。
这不是最终销售的产品，因此还没有正规的产品标签，只有一张印刷有“评测条”的白色贴纸上标注了内存容量、速度、CL时序和工作电压，阐明基本状况。
GeIL特有的DNA防伪标签
GeIL采用的DNA防伪标签应用了生物DNA防伪技术，撷取动、植物的DNA，经萃取、剪接、合成等步骤，并由遗传工程技术处理后再经特殊生产制成。如无关键保密资料，任何假冒厂商想要复制这种DNA标记都需要付出高昂的代价，因此能够有效避免假冒产品出现。
浮雕状的GeIL品牌logo
● SPD状况分析
CPU-Z 1.40显示的GeIL DDR3-1066 512MB SPD信息如上图，绝大部分信息完整，只有内存模组编号空置。内存时序表部分仅包含3套设置，分别是DDR3-1066下的6-6-6-20，DDR3-1244下的7-7-7-24和DDR3-1422下的8-8-8-27，可见这虽然是一款标称DDR3-1066的内存模组，但拥有超过DDR3-1333的运行能力。
影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：
CAS Latency，内存CAS延迟时间。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。
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